Faasimuutosmuisti

Faasimuutosmuisti (engl. Phase-change memory, PCM tai PRAM) on tietotekniikassa muistityyppi, joka on haihtumatonta muistia.[1][2] Muistityypin tekniikkaa on tutkittu ja kehitetty 1960-luvulta lähtien.[1] Muistin sanotaan tarjoavan parempaa kirjoitusnopeutta ja pienempää virrankäyttöä kuin flash-muistin.[1] Koska PCM-muisti ei tarvitse pyyhkimistä ennen kirjoittamista sen arvioidaan kestävän pidempään kuin flashin.[1]

Muistityypit
Haihtuvat muistityypit
Haihtumattomat muistityypit

Lähteet

  1. Sean Michael Kerner: What is Phase Change Memory? enterprisestorageforum.com. 18.7.2019. Viitattu 5.1.2021. (englanniksi)
  2. Otto Räisänen: Faasimuutosmuisti (PDF) lutpub.lut.fi. 13.11.2016. Viitattu 5.1.2021.
    This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.