Pseudostatisches RAM

Pseudostatisches RAM (PSRAM) bezeichnet einen Typ von Speicherbausteinen für Computer. Sein Inhalt ist flüchtig (volatil), das heißt, die gespeicherte Information geht bei Abschaltung der Betriebsspannung verloren.

1 Mbit pseudostatisches RAM-Baustein, Typ TC518129CFWL-80, von Toshiba

Ein PSRAM besteht aus einem DRAM mit eingebauter Steuerschaltung für das nötige Auffrischen der Speicherzellen und einer Schaltung zur Umsetzung der SRAM-Schnittstelle auf eine DRAM-Schnittstelle. Dadurch vereinigt es die Vorteile des geringen Flächenbedarfs des DRAMs mit der relativ einfachen Ansteuerung eines SRAMs.

Produktnamen für den PSRAM sind je nach Hersteller CellularRAM[1] (Micron Technology), 1T-SRAM[2] (MoSys) und PSiRAM[3] (Tezzaron Semiconductor, 2003).

Einzelnachweise
  1. PSRAM/CellularRAM. Micron Technology, 2012, archiviert vom Original (nicht mehr online verfügbar) am 20. September 2012; abgerufen am 12. September 2012 (Produktseite von Micron Technology).
  2. P. N. Glaskowsky: MoSys explains 1T-SRAM technology. In: Microprocessor Report. Band 13, Nr. 12, 1999, S. 1–2 (PDF [abgerufen am 12. September 2012]).
  3. Mark LaPedus: Tezzaron rolls out 'PSiRAM' memory technology. In: EE Times. News and Analysis. 18. August 2003, abgerufen am 12. September 2012.
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