Poly(3-hexylthiophen-2,5-diyl)

Strukturformel
Allgemeines
Name	Poly(3-hexylthiophen-2,5-diyl)
Andere Namen	Poly(3-hexylthiophen); P3HT;
CAS-Nummer	104934-50-1; 156074-98-5;
Monomer	3-Hexylthiophen
Summenformel der Wiederholeinheit	C10H14S
Molare Masse der Wiederholeinheit	166,28 g·mol−1
Art des Polymers	Polymer-Halbleiter
Eigenschaften
Aggregatzustand	fest
Schmelzpunkt	238 °C[1]
Glastemperatur	214 °C[2]
Löslichkeit	löslich in Chlorbenzol, o-Dichlorbenzol, Trichlorbenzol, Toluol, Xylol, Trichlormethan[2][1]
Elektrische Leitfähigkeit	ca. 103 S/cm (bei Dotierung mit Iod)[1]
Sicherheitshinweise
GHS-Gefahrstoffkennzeichnung[1] Achtung
H- und P-Sätze	H: 315‐319‐335
	P: 261‐305+351+338[1]
Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet. Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen.

Poly(3-hexylthiophen-2,5-diyl), auch Poly(3-hexylthiophen), abgekürzt P3HT, ist ein Polymer aus der Gruppe der Polythiophene und ein organischer n-dotierter-Halbleiter.

Mögliche Anwendungen liegen in der Verwendung entsprechend optimierter und aufbereiteter Polymere als Teil der photoaktiven Schicht von organischen Solarzellen in der organischen Photovoltaik[3] oder als halbleitende Schicht in organischen Feldeffekttransistoren.[4]

Einzelnachweise

Datenblatt Poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) bei Sigma-Aldrich, abgerufen am 21. April 2011 (PDF).
Materialien zur Verwendung für organische Solarzellen (Memento vom 15. November 2009 im Internet Archive) bei der Suchmaschine oeindex für organische Elektronik
Technical Bulletin AL-250 (PDF; 83 kB) von Sigma-Aldrich
L. A. Kehrer, S. Winter, R. Fischer, C. Melzer, H. von Seggern: Temporal and thermal properties of optically induced instabilities in P3HT field-effect transistors. In: Synthetic Metals. 161. Jahrgang, Nr. 1, 2012, S. 2558–2561, doi:10.1016/j.synthmet.2011.08.007.

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[Sigma-1] Datenblatt Poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) bei Sigma-Aldrich, abgerufen am 21. April 2011 (PDF).

[oeindex-2] Materialien zur Verwendung für organische Solarzellen (Memento vom 15. November 2009 im Internet Archive) bei der Suchmaschine oeindex für organische Elektronik

[SigmaAldrichBul-3] Technical Bulletin AL-250 (PDF; 83 kB) von Sigma-Aldrich

[4] L. A. Kehrer, S. Winter, R. Fischer, C. Melzer, H. von Seggern: Temporal and thermal properties of optically induced instabilities in P3HT field-effect transistors. In: Synthetic Metals. 161. Jahrgang, Nr. 1, 2012, S. 2558–2561, doi:10.1016/j.synthmet.2011.08.007.