Indiumarsenid

Indiumarsenid bildet sich bei hohen Temperaturen aus den Elementen:[5]

${\displaystyle \mathrm {In\ +\ As\longrightarrow \ InAs} }$

InAs-Einkristallbruchstücke

Indiumarsenid kristallisiert in der Sphalerit-Struktur: Arsenid bildet eine kubisch dichteste Kugelpackung und Indium besetzt die Hälfte der Tetraederlücken. Die Bandlücke des Halbleiters beträgt 0,35 eV.

Wie andere III-V-Halbleiter findet Indiumarsenid Anwendung in der Halbleiterindustrie. Es wird für Photodioden in Detektoren für Infrarotstrahlung verwendet. Ein weiteres Anwendungsgebiet sind Laserdioden.

Indiumarsenid ist aufgrund des enthaltenen Arsens giftig und cancerogen.

1. Datenblatt Indium arsenide, 99.9999% (metals basis) bei Alfa Aesar, abgerufen am 7. Dezember 2019 (Seite nicht mehr abrufbar).
2. Ioffe institute data archive/Basisdaten InAs
3. Nicht explizit in Verordnung (EG) Nr. 1272/2008 (CLP) gelistet, fällt aber mit der angegebenen Kennzeichnung unter den Gruppeneintrag Arsenverbindungen, mit Ausnahme der namentlich in diesem Anhang bezeichneten im Classification and Labelling Inventory der Europäischen Chemikalienagentur (ECHA), abgerufen am 1. Februar 2016. Hersteller bzw. Inverkehrbringer können die harmonisierte Einstufung und Kennzeichnung erweitern.
4. David R. Lide (Hrsg.): CRC Handbook of Chemistry and Physics. 90. Auflage. (Internet-Version: 2010), CRC Press / Taylor and Francis, Boca Raton FL, Standard Thermodynamic Properties of Chemical Substances, S. 5-5.
5. Grundlagen und Hauptgruppenelemente. Walter de Gruyter GmbH & Co KG, 2016, ISBN 978-3-11-049340-5 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).

• A. F. Holleman, E. Wiberg, N. Wiberg: Lehrbuch der Anorganischen Chemie. 102. Auflage. Walter de Gruyter, Berlin 2007, ISBN 978-3-11-017770-1.