نتريد الإنديوم والغاليوم

نتريد الإنديوم والغاليوم (InGaN) هو شبه موصل مصنوع من مزيج من نتريد الغاليوم (GaN) ونتريد الإنديوم (InN). يتميز نتريد الإنديوم والغاليوم بأن فجوة النطاق لديه مباشرة بين عنصرين منتميين إلى مجموعتين مختلفتين: المجموعة الثالثة (مجموعة البورون) والمجموعة الخامسة (مجموعة النتروجين). يمكن أن يتم التحكم بفجوة النظاق عن طريق ضبط كمية الإنديوم في السبيكة، وعادة ما تتراوح نسبة عنصر الإنديوم فيها بين 2% إلى 30%.[1]

InGaN ضوء أزرق (380–405 نانومتر) من ثنائي باعث للضوء من نتريد الإنديوم والغاليوم

طالع أيضاً

المراجع
  1. Linti, G. "The Group 13 Metals Aluminium, Gallium, Indium and Thallium. Chemical Patterns and Peculiarities. Edited by Simon Aldridge and Anthony J. Downs.Angew. Chem". Angewandte Chemie International Edition. ج. 50: 11569. DOI:10.1002/anie.201105633.
  • أيقونة بوابةبوابة إلكترونيات
  • أيقونة بوابةبوابة الكيمياء
  • أيقونة بوابةبوابة تقانة
  • أيقونة بوابةبوابة علم المواد
This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.