مقبس جي 3
مقبس جي 3 (بالإنجليزية: Socket G3) وهو مقبس كانت ستنتجه شركة إي أم دي وستطلقه في سنة 2009 كبديل لمقبس أف ومقبس أف+ لوحداتها من نوع أبترون في الخوادم بتكنولوجيا تمكنه من استخدام وحدتي معالجة مركزية وأكثر على لوحة أم واحدة. وكان سيرفق به نظام موسع ذاكرة مقبس جي 3 (Socket G3 Memory Extender) ليمكنه من استخدام ذاكرات الوصول العشوائي أكثر لكل وحدة معالجة.
| مقبس جي 3 (ملغى) | |
| ؟؟ | |
| شكل المقبس | شبكة سطوح مصفوفة |
|---|---|
| عدد الوصلات | 1305 |
| الشركة المنتجة | إي أم دي |
| نوع ناقل البيانات | هيبر ترانسبورت |
| بروتوكول ناقل البيانات | هيبر ترانسبورت 3.0 |
| سرعة ناقل البيانات | 2.6 GT/s |
| الوحدات المستخدمة له | لم تستخدمه أي وحدة |
وكان هدف شركة إي أم دي من هذا المقبس استخدامه لوحدات معالجة مركزية بثمانية لبوب عن طريق نموذج متعددة الرقاقات أي أن وحدة المعالجة ستحتوي على رقاقتين وكل رقاقة تحتوي على أربعة لبوب. وبعد ذلك ألغة شركة إي أم دي هذه الفكرة لصالح استخدام وحدة بستة لبوب بنظام رقاقة متعددة المعالجات أي رقاقة واحدة تحتوي هلى ستة لبوب وسمتها إصطنبول (Istanbul), والتي بإمكانها استخدام مقبس أف و مقبس أف+.
وقامت الشركة بإيقاف تطوير هذا المقبس رميا في مارس عام 2008, ولكن قررة الشركة إنتاج مقبس جي 34 الذي يحتوي على 1974 إبرة ليخلف مقبس أف ومقبس أف+.
بوابة تقانة المعلومات