زرنيخيد الإنديوم والغاليوم

زرنيخيد الإنديوم والغاليوم (InGaAs) هو شبه موصل يتألف من الإنديوم والغاليوم والزرنيخ.[1][2][3] تستعمل في الإلكترونيات عالية التواتر ، وذلك نظراً لسرعة الإلكترون الفائقة مقارنة مع غيرها من أشباه الموصلات.

طالع أيضاً

مراجع
  1. Pearsall، T.P.؛ Pollack,، M.A. (3 يونيو 1985). Tsang، W. T. (المحرر). The Elephantine Google Books Settlement en. Academic Press. ISBN:978-0-08-086417-4. اطلع عليه بتاريخ 2019-12-30. {{استشهاد بكتاب}}: |عمل= تُجوهل (مساعدة) والوسيط غير صالح |script-title=: بادئة مفقودة (مساعدة)صيانة الاستشهاد: علامات ترقيم زائدة (link)
  2. Veteran، J.L. (1982). "Schottky barrier measurements on p-type In0.53Ga0.47As". Thin Solid Films. ج. 97 ع. 2: 187–190. Bibcode:1982TSF....97..187V. DOI:10.1016/0040-6090(82)90227-9.
  3. [وصلة مكسورة] [وصلة مكسورة] نسخة محفوظة 27 يناير 2020 على موقع واي باك مشين.
  • أيقونة بوابةبوابة إلكترونيات
  • أيقونة بوابةبوابة اتصال عن بعد
  • أيقونة بوابةبوابة الكيمياء
  • أيقونة بوابةبوابة علم المواد
This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.